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英特尔将展示配备能效核的特殊芯片 采用背面供电,Intel 4工艺制造

发表日期:2023-06-30        文章编辑:管理员         阅读次数:

英特尔在2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,展示了一系列底层技术创新,这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。其中包括了PowerVia技术,这是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络(PDN),通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输,原计划在Intel 20A制程节点引入。

据TomsHardware报道,2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行,英特尔将在这次活动上披露PowerVia技术的研究成果,展示一款特别定制的芯片。其采用了背面供电,配备了未命名的能效核,以Intel 4工艺制造,以便向那些有兴趣使用英特尔代工服务(IFS)的潜在客户展示新技术的有点。作为实验性的芯片,应该不会量产使用的。

据了解,这颗特殊的芯片基于的能效核可能是新的架构,推测为Crestmont架构,利用PowerVia技术让核心大部分区域实现了超过90%的标准单元利用率,频率也提高了5%以上。尽管不能评估其实际工作负载中的表现,但英特尔称测试芯片达到了预期效果,有着更高功率密度,似乎说明了新技术的应用非常有效。

背面供电设计助于解决后端线路(BEOL)中电阻增加等问题,这可以提高晶体管的性能并降低功耗,同时也消除了数据和电源连接之间的潜在干扰,另外还可以减少面积,可能会让晶体管密度更高。除了英特尔以外,三星也计划使用一种称为“BSPDN”的技术,用于2nm芯片上。

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